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半導體檢測高低溫沖擊試驗箱采用整體式組合結構形式，既試驗箱由位于上部的高溫試驗箱，位于下部的低溫試驗箱體、位于后部的制冷機組柜和位于左側后板上的電器控制柜（系統）所組成。此方式箱體占地面積小、結構緊湊、外形美觀(guān)，制冷機組置于獨立的機組箱體內，以減少制冷機組運行時(shí)的震動(dòng)、噪聲對試驗箱的影響，同時(shí)便于機組的安裝和，電器控制面板置于試驗箱的左側板上以便于運行操作。
半導體檢測高低溫沖擊試驗箱主要技術(shù)指標：
技術(shù)參數
1. 溫度范圍：-20℃～200℃（A）、-40℃～200℃(B)、-60℃～200℃(C)；
2. 樣品吊籃：（WDCJ-100）350×350×380、（WDCJ-300）520 ×520×580；
3. 吊籃承重：（WDCJ-100）15Kg、（WDCJ-300）18Kg；
4. 試驗區：①溫度波動(dòng)度±0.5℃（溫度恒定后），②溫度偏差≤3℃；
5. 高低溫區：溫度波動(dòng)度≤±2.0℃；
6. 升溫速率：1.0～3.0℃/min；
7. 降溫速度：0.7～1.0℃/min；
8. 溫度轉換時(shí)間：≤15s（樣品從高溫區到低溫區或從低溫區到高溫區）；
9. 溫度恢復時(shí)間：≤15min
10. 電源電壓：AC380±10%V 50Hz